实机验证
在实机试作前先进行分析，
仅在实机上验证有前景的条件
企业名称和产品名称不公开。本案例将仿真引入原本以实机评估为主的开发流程，从而减少试作、评估和返工。
选择PIC Software的理由
完善的售后支持
分析完成后，我们仍会持续支持与实机验证结果的对照、追加咨询以及条件研究。
专业工程师专属支持
针对委托分析、改进建议、开发和设计，每个项目均由1名专业工程师负责到底。
未达到成果时的退款保证
针对委托分析和改进建议服务，在满足规定条件时可适用退款保证制度。
定期沟通与会议
原则上每周召开会议，持续共享进展并确认分析方向。
支持多种工艺与设备
支持蚀刻、CVD、溅射、表面活化等多种等离子体工艺和设备。
软件许可证
适合希望在公司内部进行分析、设计和条件研究的客户
我们提供可对等离子体和粒子行为进行三维分析的仿真软件，可广泛用于研发、设备设计以及工艺条件比较与优化。
PIC-PLASMA 3D
等离子体与粒子行为分析软件
委托分析、改进建议、开发与设计
适合希望将分析、改进到设计整体委托的客户
针对客户的设备和工艺，我们从分析问题原因、提出改进建议，到新设备和新工艺的开发设计，提供一站式支持。
委托分析
分析电磁场、电子轨迹、等离子体分布、粒子行为、入射分布等，明确问题原因。
改进建议
基于分析结果，提出设备结构、工艺条件优化方案以及具体改进措施。
开发与设计
支持新设备、新机构和分析方法的开发与设计，并可根据需要进行软件功能开发。
PIC-PLASMA 3D可以做什么
PIC-PLASMA 3D是一款可对设备内部的等离子体与粒子行为进行三维分析的仿真软件，可支持条件比较和问题可视化。在研发和设备设计初期筛选有前景的条件，从而提高实机验证效率。
PIC / MCC分析
设备分析
可视化
轨迹分析
粒子行为评估
优化研究
三维掌握设备内部的等离子体与粒子行为
对电子、离子、中性粒子的行为以及等离子体分布进行三维分析，将设备内部发生的现象可视化。有助于确认仅靠实验难以掌握的分布不均和局部变化。
利用CAD几何研究设备结构和条件的影响
可利用CAD几何分析设备结构、电极配置及不同条件带来的影响。在实机试作前比较候选方案，筛选更有前景的结构与条件，从而提高开发效率。
整理研发与改进研究所需的分析结果
可基于分析结果推进问题可视化、改进方案研究以及实机验证条件选择。既可作为公司内部研究工具，也可作为开展委托分析和改进建议的技术平台。
开发人员与分析工程师
直接提供支持。
在PIC Software，负责软件开发和分析技术核心工作的工程师会直接参与客户课题。我们不只是提供软件，还会持续支持到分析结果与实机验证结果的对照确认。
坂本 光辉
在京都大学为研究而开发的等离子体仿真代码，成为如今「PIC-PLASMA 3D」的技术基础。
从等离子体与粒子仿真研究，到工业领域的电子轨迹分析，再到分析软件开发，始终专注于仿真技术。
PIC/MCC与软件开发
开发涵盖三维PIC/MCC计算、粒子行为、电场·磁场、CAD几何和可视化功能等的分析软件。
等离子体与工艺分析
针对蚀刻、CVD、溅射、表面活化等工艺，分析等离子体分布、粒子行为以及不同条件造成的影响。
改进建议·开发·设计·实机联动
基于分析结果研究设备结构和工艺条件的改进方案，并通过与实机结果比较，衔接到下一阶段的设计与验证。
咨询仿真与分析支持
请告诉我们您的设备、工艺课题和需求。我们将提出最适合的分析与支持方案。