プラズマ解析を、
装置・プロセス開発の判断材料へ。
PIC Softwareは、3次元プラズマ・粒子シミュレーションソフトウェア 「PIC-PLASMA 3D」と、 専門技術者による受託解析・改善提案・開発設計を提供しています。
ソフトウェアライセンス
電磁場、電子軌道、プラズマ・粒子解析をPIC-PLASMA 3Dへ統合。 装置内部の物理現象から、 スパッタ・エッチング・CVDなどのプロセス結果まで、 一つの3次元解析環境で可視化・比較します。
PIC-PLASMA 3D
プラズマ・粒子シミュレーションを中心に、 電磁場、電子・イオン・ラジカルの挙動から、 スパッタ・エッチング・CVDなどのプロセス結果まで解析できる 3次元シミュレーションソフトウェアです。 装置形状やプロセス条件を変更しながら、 装置開発・プロセス開発・条件最適化に活用できます。
PIC-PLASMA 3Dの主な機能
プラズマ解析
電子密度・イオン密度、電位、シース、 粒子フラックスなどの分布を解析し、 プロセス条件による変化を比較します。
電子軌道解析
電子の軌道、速度、放出条件、 電流密度などを可視化し、 電極構造や電子挙動の検討に利用できます。
電磁場解析
電場・磁場分布を解析し、 電極・磁石・誘電体を含む装置内部の 場の集中や分布を確認します。
イオン・ラジカル・粒子挙動
電子・イオン・ラジカルなどの輸送や入射挙動を確認し、 装置内部での粒子の到達位置、 密度、フラックスなどを評価します。
条件比較・最適化検討
ガス条件、圧力、電圧、電力、周波数、 サンプル配置や装置形状などを比較し、 有望な条件の絞り込みに活用できます。
成膜・エッチング評価
スパッタやCVDにおける膜厚・成膜分布、 エッチングにおけるエッチング量や深さなど、 プロセス結果を評価します。
受託解析・改善提案
PIC-PLASMA 3Dを用いて専門技術者がお客様の装置・プロセスを解析。 シミュレーション結果を提示するだけでなく、 原因整理・改善提案・開発設計まで一貫して支援します。
「解析して終わり」ではなく、
改善・設計まで。
「ソフトを導入する前にまず解析を依頼したい」 「自社だけでは条件設定や結果評価が難しい」 「解析結果から具体的な改善案まで欲しい」。 必要な範囲に合わせて技術支援をご利用いただけます。
解析から開発・設計まで一貫して支援
受託解析
装置形状・解析条件をもとに、 プラズマ分布、電子軌道、電磁場、 粒子挙動、成膜・エッチング結果などを解析し、 結果を整理してご報告します。
改善提案
解析結果から偏り・集中・損失などの要因を整理し、 条件変更や装置構造の改善候補を比較して ご提案します。
開発・設計
装置・プロセスの新規開発や改良に対し、 解析を用いた設計検討、 条件選定、評価方法の検討まで支援します。
ご相談から解析・改善までの流れ
どちらを選べばよいか分からない場合も、 まずはご相談ください。
ソフトウェア導入と受託解析のどちらが適しているか、 目的・装置・解析内容に合わせてご案内します。